日本ORC UVC-LED用紫外放射照度计UV-LED-CS01C

日本ORC UVC-LED用紫外放射照度计UV-LED-CS01C 

兼容多种光刻技术：可兼容 WL-CSP、IGBT、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技术，适用于多种半导体器件的制造。

宽频谱光刻功能：具备宽带曝光能力，可根据配方自动切换 GHI 线、I 线等光刻波长，通过与菜单连动，实现 ghi - Line、gh - line、i - line 的自动切换，满足不同光刻工艺对波长的要求。

可变 NA 功能：搭载可变 NA（数值孔径）功能，能够在 0.16 和 0.1 之间切换，可根据不同的光刻精度需求调整光学系统的分辨率。

高精度光刻：分辨率可达 2.0μmL/s（2.0μm 抗蚀剂厚度），叠加精度≦0.5 微米（|Ave| + 3σ），能够实现高精度的半导体图案光刻。

光罩设计格式多样：支持多达 8 场光罩设计格式，为复杂的半导体芯片设计提供了更多的灵活性。

光学系统保护：光学元件能够免受周围环境中的阻滞气体和化学物质的影响，保证了光刻设备的稳定性和光刻质量。

日本ORC  臭氧发生模块

ARV-M001D

ARV-M005D

ARV-M020D

ARV-M050D 

ARV-M100D/A 

ARV-M300D/A

ARV-M500A

ARV-M1000A